​杰华特IPO:打造多系列产品 致力理想二极管替代肖特基二级

产品描述杰华特JW7201是一款正母线理想二极管-OR控制器,可驱动两个外部N沟道MOSFET。使用N沟道MOSFET相比于肖特基二极管,在散热和功耗上都更加有优势。使用杰华

产品描述

杰华特JW7201是一款正母线理想二极管-OR控制器,可驱动两个外部N沟道MOSFET。使用N沟道MOSFET相比于肖特基二极管, 在散热和功耗上都更加有优势。

使用杰华特JW7201可以将多个电源并联在一起供电,互相作为备份,提高电源可靠性。

杰华特JW7201通过对MOSFET导通电压的控制,可以实现一个通道向另一个通道切换时,没有电流振荡。如果电源发生故障或者短路, JW7201会快速关断MOSFET,最大程度的减小瞬态的负电流。

电源故障检测指示输入电源是否故障,保险丝是否熔断,外部N沟道栅极驱动(VGSx)是否小于0.3V,或者MOSFET两端的电压是否大于故障阈值。

产品特点

1.取代功率肖特基二极管2.控制N沟道MOSFET3.0.3μs关断时间限制峰值故障电流4.宽工作电压范围:6V至80V5.没有振荡的平滑切换6.无反向直流电流7.监视VIN,熔丝和MOSFET二极管8.提供14引脚(4mm x 3mm)DFN,16引脚SOP封装

产品参数

1.输入电压:6~80V2.输出电压:Vin

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产品描述

杰华特JW7202 是一款低侧 ORing FET 控制器,当与电源串联时,它可以与两个外部 MOSFET 作为理想二极管整流器一起工作。 此外,通过使用带有 N 沟道 MOSFET 的二极管-OR 代替肖特基二极管,还可以减少功耗、散热和 PC 板面积。

产品特点

替代功率肖特基二极管控制 N 沟道 MOSFET200V 绝对最大值0.3s 关断时间限制峰值故障电流无反向直流电流调节:25 mV ±15 mV

快速关闭:–25 mV ±15 mV

SOP8 封装

产品参数

调节:25 mV ±15 mV快速关闭:–25 mV ±15 mV

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产品描述

杰华特JW7203是一款理想二极管-OR控制器, 可驱动一个外部N沟道MOSFET。 使用N沟道MOSFET相比于肖特基二极管, 在散热和功耗上都更加有优势。

使用杰华特JW7203可以将多个电源并联在一起供电,互相作为备份,提高电源可靠性。

杰华特JW7203通过对MOSFET导通电压的控制,可以实现一个通道向另一个通道切换时,没有电流振荡。如果电源发生故障或者短路,JW7203会快速关断MOSFET,最大程度的减小瞬态的负电流。

产品特点

1. 取代功率肖特基二极管

2. 控制N沟道MOSFET

3. 0.3μs关断时间限制峰值故障电流

4. 最高耐压高达200V

5. 平滑切换无振荡

6. 无反向直流电流

7. 控制MOSFET正向SD导通电压: 25mV±15mV

8. 反向快速关断MOSFET的SD电压阈值: -25mV±15mV

8. 8-lead SOP 封装

产品参数

1.输入电压: 10V to 150V

2.输出电压: Vin

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产品描述

杰华特JW7211是一款集成式热插拔及理想二极管控制器。 在大功率通信电源中,可以通过严苛的瞬态测试。JW7211的最大额定电压达到200V使得其更容易通过雷击浪涌测试。在软启动过程中,芯片额外并入缓起电容控制缓起时间,缓起结束后,将缓起电容切除从而不影响瞬态响应特性。芯片有两路MOSFET驱动信号,只有其中一路MOSFET需要较强的SOA,可以节省BOM成本。在瞬态响应过程中,上拉电流可以到达400uA,使得MOSFET在雷击浪涌实验中,可以快速的被重新打开,避免系统复位。最后芯片还具有阈值和迟滞可编程的过压和欠压保护功能。

同时JW7211集成了理想二极管控制器,适用于需要反向链接保护的系统。

产品特点

1. 10~80直流工作电压,最大额定电压200V

2. 软起电容在软起结束后自动切除

3. 双路热插拔MOSFET驱动器

4. 400μA快速开通驱动电流

5. 基于VDS电压的两级限流

–24.5 mV ±10% DS电压较小时

–3.7 mV ±27% DS电压较大时

6. 可编程过压(1.5%)欠压(2%)阈值

–可编程迟滞 (±11%)

7. 集成理想二极管控制器

–控制MOSFET正向SD导通电压: 25mV±15mV

–反向快速关断MOSFET的SD电压阈值: -25mV±15mV

8. 过流计数超时后,自动重启

9. TSSOP16封装

产品参数

1.输入电压: 10V to 80V

2.输出电压: Vin

3.电流过流点可调

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产品描述

杰华特JW7260 是一款正电压理想二极管控制器,可驱动外部 N 沟道 MOSFET。 用 N 沟道 MOSFET 代替肖特基二极管形成二极管 OR 可降低功耗、散热和 PC 板面积。

产品特点

替代功率肖特基二极管控制外部 N 沟道 MOSFET0.3s 关断时间限制峰值故障电流宽工作电压范围:6V 至 80V100V 瞬态能力无反向直流电流1A 峰值栅极关断电流TSOT23-6 封装

产品参数

宽工作电压范围:6V 至 80V100V 瞬态能力

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